IAUTN04S7N003ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUTN04S7N003ATMA1 제조: Infineon 및 ISC011N04NM7VATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUTN04S7N003ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.42 $0.41
Technology OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 357 W —
RDS(on) max at VGS=10V 0.24 mOhm (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Avalanche Single-Pulse Current [DATA_NEEDED: IAS] —
Body Diode Continuous Forward Current 350 A (Tj = 25 °C) —
Body Diode Pulse Current 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) —
Body Diode Forward Voltage (VSD) 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A —
Reverse Recovery Time (trr) 83 ns typical / 125 ns max —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 126 nC typical / 252 nC max —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
패키지 PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) PG-TDSON-8 (source-down)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

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