IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ20N08S5L300ATMA1 par Infineon et BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 20 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 30 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 30 mΩ @ 10 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | ±20 V (max Vgs rating) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 599 pF @ 40 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.5 nC @ 10 V | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-5) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant with exemption |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |