IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ20N08S5L300ATMA1 par Infineon et IAUC28N08S5L230ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 20 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 30 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 30 mΩ @ 10 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | ±20 V (max Vgs rating) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 599 pF @ 40 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.5 nC @ 10 V | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-5) | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |