IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ40N06S5L050ATMA1 par Infineon et IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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