IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZ40N06S5L050ATMA1 por Infineon e IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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