IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 IAUZN04S7L030ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.36
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS 상태 Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청