IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon et IAUC64N08S5L075ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZN04S7L030ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,58 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 3.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55C to +175C | — |
| Technology Family | OptiMOS-7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Nombre de broches | — | 8 |