IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN04S7L030ATMA1 von Infineon und IAUC64N08S5L075ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $0,58
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUC64N08S5L075ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS™ 5
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A (TJ-limited)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 7.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 75 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Anzahl der Pins — 8

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