IDDD10G65C6XTMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IDDD10G65C6XTMA1 par Infineon et IDL04G65C5XUMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IDDD10G65C6XTMA1 | IDL04G65C5XUMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Diodes | Diodes |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $0,92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC+ 6th Generation | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 |
| Diode Type | Silicon Carbide (SiC) Schottky | Silicon Carbide (SiC) Schottky |
| Configuration | Single Diode | — |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) | 650 V | — |
| Average Rectified Forward Current (IF(AV)) | 29 A | — |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) | [DATA_NEEDED: IFSM value] | — |
| Forward Voltage (VF) at IF | 1.5 V typical at 10 A | — |
| Reverse Recovery Charge (Qc) | Zero (no minority carrier storage) | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns (Schottky, no recovery) | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-10-1 (10-pin HDSOP with exposed pad) | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount, Tape & Reel |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Typical Application | PFC, totem-pole PFC, solar inverter, EV OBC | — |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | — | 650 V |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | — | 4 A |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | — | 7 nC (typical) |
| Forward Voltage (V_F) | — | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) |
| Reverse Leakage Current (I_R) | — | 70 µA at 650 V |
| Junction Capacitance (C_J) | — | 130 pF at 1 V, 1 MHz |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | — | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Nombre de broches | — | 4 (with exposed thermal pad) |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (per Infineon product page) |