IGD08N120S7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGD08N120S7ATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGD08N120S7ATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
Température de jonction en fonctionnement -40C to +175C (industry grade) -55 °C to +150 °C
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench Field Stop, 7th generation N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

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