IGD08N120S7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IGD08N120S7ATMA1 제조: Infineon 및 BSC014NE2LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IGD08N120S7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | IGBTs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | IGBT 7 (S7) Trench Field Stop | — |
| Collector-Emitter Voltage (Vce max) | 1200 V | — |
| Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) | 24 A | — |
| Pulsed Collector Current (Icm) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 106 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (Vge max) | [DATA_NEEDED: Vge max] | — |
| VCE(sat) at rated Ic | 1.65 V | — |
| Co-packaged Diode | Yes (anti-parallel emitter diode) | — |
| 동작 접합 온도 | -40C to +175C (industry grade) | -55 °C to +150 °C |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench Field Stop, 7th generation | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Configuration | Single | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |