IGD08N120S7ATMA1 vs IKD10N60RC2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGD08N120S7ATMA1 par Infineon et IKD10N60RC2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IGD08N120S7ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,83
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
Température de jonction en fonctionnement -40C to +175C (industry grade) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench Field Stop, 7th generation TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode)
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant Compliant
Collector-Emitter Voltage (V_CE) — 600 V
Continuous Collector Current (I_C nom) — 10 A
Pulsed Collector Current (I_Cp) — 18.8 A
Maximum Power Dissipation (P_tot) — 79 W
Integrated Diode — Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +175 C (junction)
Gate-Emitter Voltage (V_GE) — [DATA_NEEDED: recommended V_GE value]
V_CE(sat) at I_C — [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)]
Switching Frequency (typical) — 10 - 30 kHz (hard-switching)
Short-Circuit Withstand Time — [DATA_NEEDED: t_sc rating]
Qualification — Industrial (qualified per Infineon product validation)

Fiches techniques et ressources

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