IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IGL65R080D2XUMA1 par Infineon et IGLR70R270D2SXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,97 | $2,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| Type de transistor | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 28 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| Type de montage | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |