IGL65R080D2XUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IGL65R080D2XUMA1 제조: Infineon 및 IGLR70R270D2SXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IGL65R080D2XUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.97 | $2.13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | 28 W |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (TJ) | -40C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |