IHW40N120R5XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IHW40N120R5XKSA1 par Infineon et IPP100N12S305AKSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IHW40N120R5XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,50 $3,78
Collector-Emitter Voltage (VCE) 1200 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 160 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 394 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (monolithic reverse-conducting) —
Technology Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5 —
Boîtier TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Température de jonction en fonctionnement -40C to +175C —
Storage Temperature -55C to +150C —
Soldering Temperature (max 10s) 260 C —
Switching Application Resonant / soft switching (induction cooking optimized) —
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes —
Niveau MSL N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (TJ)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Statut RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fiches techniques et ressources

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