IMZ120R045M1H vs IMW120R045M1H Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IMZ120R045M1H par Infineon et IMW120R045M1H par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IMZ120R045M1H IMW120R045M1H
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $17,95 $0,00
Technology CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET CoolSiC SiC Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 1200 V —
On-Resistance RDS(on) at 25°C 45 mΩ —
Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) 52 A —
Total Power Dissipation at Tc=25°C 228 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4.5 V (typical) —
Turn-off Gate Voltage 0 V capable —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier TO-247-4 (PG-TO247-4-1) PG-TO247-3-41 (TO-247-3)
Type de montage Through-hole Through Hole
Polarity N-Channel —
Driver Source Pin (Kelvin) Yes - dedicated sense/source pin —
Body Diode Commutation-robust, synchronous-rectification ready Robust, suitable for synchronous rectification
Qualification JEDEC 47/20/22 (industrial) Industrial grade
Statut RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 1200 V
On-Resistance (RDS(on)) — 45 mOhm at Tj = 25C
Continuous Drain Current (ID) — 52 A at Tc = 25C
Dissipation de puissance (Ptot) — 228 W at Tc = 25C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V
Recommended Turn-On Gate Voltage — 15 V
Turn-Off Gate Voltage — 0 V
Configuration — Single N-channel with built-in body diode
Gate Drive Compatibility — IGBT-compatible gate drive
dv/dt Control — Fully controllable via gate resistor
Turn-Off Switching Losses — Temperature independent
Manufacturer Recommended Operating Margin — Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime

Fiches techniques et ressources

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