IMZ120R045M1H vs IMW120R045M1H Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IMZ120R045M1H por Infineon e IMW120R045M1H por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IMZ120R045M1H IMW120R045M1H
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $17,95 $0,00
Technology CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET CoolSiC SiC Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 1200 V —
On-Resistance RDS(on) at 25°C 45 mΩ —
Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) 52 A —
Total Power Dissipation at Tc=25°C 228 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4.5 V (typical) —
Turn-off Gate Voltage 0 V capable —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento TO-247-4 (PG-TO247-4-1) PG-TO247-3-41 (TO-247-3)
Tipo de montagem Through-hole Through Hole
Polarity N-Channel —
Driver Source Pin (Kelvin) Yes - dedicated sense/source pin —
Body Diode Commutation-robust, synchronous-rectification ready Robust, suitable for synchronous rectification
Qualification JEDEC 47/20/22 (industrial) Industrial grade
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 1200 V
On-Resistance (RDS(on)) — 45 mOhm at Tj = 25C
Continuous Drain Current (ID) — 52 A at Tc = 25C
Dissipação de potência (Ptot) — 228 W at Tc = 25C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V
Recommended Turn-On Gate Voltage — 15 V
Turn-Off Gate Voltage — 0 V
Configuration — Single N-channel with built-in body diode
Gate Drive Compatibility — IGBT-compatible gate drive
dv/dt Control — Fully controllable via gate resistor
Turn-Off Switching Losses — Temperature independent
Manufacturer Recommended Operating Margin — Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime

Fichas técnicas e recursos

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