IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPA60R190C6XKSA1 par Infineon et IPP60R180P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPA60R190C6XKSA1 IPP60R180P7XKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS C6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 34 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Boîtier PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) PG-TO220-3 (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Tab Isolation Fully isolated (4 kV) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Technology — CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — N/A (through-hole)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis