IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPA60R190C6XKSA1 por Infineon e IPP60R180P7XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPA60R190C6XKSA1 IPP60R180P7XKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $1,30
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS C6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 20.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 34 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Encapsulamento PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) PG-TO220-3 (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Tab Isolation Fully isolated (4 kV) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead Free Yes —
Technology — CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
Número de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes
Nível MSL — N/A (through-hole)

Fichas técnicas e recursos

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