IPB020NE7N3GATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB020NE7N3GATMA1 par Infineon et BSC054N04NSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB020NE7N3GATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,31 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020NE7N3GATMA1 BSC054N04NSGATMA1
Technology OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
On-State Resistance RDS(on) 2.0 mΩ typical (per part number code) —
Boîtier PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

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