IPB025N10N3GATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB025N10N3GATMA1 par Infineon et IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB025N10N3GATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,74 $4,05
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Boîtier / Format — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Fiches techniques et ressources

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