IPB025N10N3GATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB025N10N3GATMA1 por Infineon e IPB017N10N5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB025N10N3GATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,74 $4,05
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulamento PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação