IPB025N10N3GATMA1 vs IPB017N10N5LFATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPB025N10N3GATMA1 от Infineon и IPB017N10N5LFATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB025N10N3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB017N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 - 100V 1.7mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

IPB017N10N5LFATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPB025N10N3GATMA1 IPB017N10N5LFATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,74 $4,05
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Корпус PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Уровень MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Linear FET
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 180 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 313 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V — 1.7 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Корпус / Типоразмер — PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount
Avalanche Rated — Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized — Yes (OptiMOS Linear FET)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену