IPB031N08N5ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB031N08N5ATMA1 par Infineon et IPD046N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB031N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,62 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

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