IPB031N08N5ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB031N08N5ATMA1 por Infineon y IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB031N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,62 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
Estado RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

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