IPB031N08N5ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB031N08N5ATMA1 por Infineon e IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB031N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,62 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
Status RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fichas técnicas e recursos

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