IPB051N15NM6ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB051N15NM6ATMA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB051N15NM6ATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,02 $1,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 139 A -100 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V 5.1 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typical 51 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 234 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C (TJ)
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes —
Technology — OptiMOS (trench MOSFET)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Lead-Free — Yes

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