IPB051N15NM6ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon y IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB051N15NM6ATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,02 $1,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 139 A -100 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V 5.1 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typical 51 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 234 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Drain, Source, Gate) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes —
Technology — OptiMOS (trench MOSFET)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Lead-Free — Yes

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