IPB051N15NM6ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB051N15NM6ATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,02 $1,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 139 A -100 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V 5.1 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typical 51 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 234 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes —
Technology — OptiMOS (trench MOSFET)
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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