IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N04S4H2ATMA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB100N04S4H2ATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,42 | $1,31 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | P-Channel |
| Technology | OptiMOS-T2 (trench gate) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | -100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 2.4 mΩ typical | — |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | 115 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temp range] | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (up to 260C peak reflow) | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 100% avalanche tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Boîtier / Format | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |