IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB100N04S4H2ATMA1 por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB100N04S4H2ATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,31
FET Type N-Channel, Enhancement Mode P-Channel
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A -100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (TJ)
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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