IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB107N20N3GATMA1 par Infineon et IPB025N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB107N20N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $3,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 180 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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