IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB107N20N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPB025N10N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPB107N20N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.18 | $3.74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 180 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C (junction) |
| パッケージ | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| MSLレベル | — | 1 (unlimited) |
| ハロゲンフリー | — | Yes |