IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB107N20N3GATMA1 por Infineon e IPB025N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB107N20N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $3,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 180 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Nível MSL — 1 (unlimited)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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