IPB107N20N3GATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB107N20N3GATMA1 от Infineon и IPB025N10N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB107N20N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $3,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | 180 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C (junction) |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | — | 2.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.58 nF |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Уровень MSL | — | 1 (unlimited) |
| Без галогенов | — | Yes |