IPB110P06LMATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IPL65R115CFD7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB110P06LMATMA1 | IPL65R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,31 | $2,70 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | CoolMOS CFD7 (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 24 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 144 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Body Diode | — | Integrated Fast Recovery |
| Boîtier | — | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |