IPB120N04S402ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB120N04S402ATMA1 par Infineon et IPB100N04S4H2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB120N04S402ATMA1 | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 158 W | — |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant (Green Product) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (trench gate) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 2.4 mΩ typical |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 115 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temp range] |
| Niveau MSL | — | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |