IPB120N04S402ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB120N04S402ATMA1 제조: Infineon 및 IPB100N04S4H2ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB120N04S402ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.85 $1.42
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
패키지 PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (2 + Tab) —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
습도 민감도 레벨 (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL 레벨 — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

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