IPB120N04S402ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB120N04S402ATMA1 por Infineon e IPB100N04S4H2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPB120N04S402ATMA1 | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,85 | $1,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T2 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 158 W | — |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (2 + Tab) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant (Green Product) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (trench gate) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 2.4 mΩ typical |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 115 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temp range] |
| Nível MSL | — | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |