IPB120N04S402ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB120N04S402ATMA1 メーカー: Infineon および IPB100N04S4H2ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 - 40V 120A OptiMOS-T2 N-FET D2PAK | Infineon

IPB120N04S402ATMA1 - 40V 120A OptiMOS-T2 N-FET D2PAK | Infineon

IPB120N04S402ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB120N04S402ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.42
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (2 + Tab) —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
湿気感度レベル(MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (Green Product)
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSLレベル — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

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