IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon et IPD60R600PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPD60R600PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,19 | $0,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 227 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 6 A (Tc) |
| R_DS(on) Max | — | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 8.5 nC |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 8 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (P_D) | — | 31 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C (Tj) |
| Reel Quantity | — | 2500 |