IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB60R040CFD7ATMA1 от Infineon и IPD60R600PFD7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPD60R600PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,19 | $0,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 227 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | — |
| Корпус | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 6 A (Tc) |
| R_DS(on) Max | — | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 8.5 nC |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 8 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (P_D) | — | 31 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Рабочая температура | — | -55°C to +150°C (Tj) |
| Reel Quantity | — | 2500 |