IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon et IPL65R115CFD7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPL65R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,19 | $2,70 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CFD7 (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 227 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 24 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 144 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Body Diode | — | Integrated Fast Recovery |