IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon y IPL65R115CFD7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPL65R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,19 | $2,70 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CFD7 (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 227 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Encapsulado | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Nivel MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 24 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 144 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Body Diode | — | Integrated Fast Recovery |