IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon e IPL65R115CFD7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPL65R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,19 | $2,70 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CFD7 (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 227 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Encapsulamento | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-VSON-4 (VSON-4 EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| Nível MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 24 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 144 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Body Diode | — | Integrated Fast Recovery |