IPB60R125C6ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R125C6ATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPB60R125C6ATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $5,19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ C6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 125 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg, typical) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 219 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Status | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 227 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Boîtier | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |