IPB60R190C6ATMA1 vs IPP60R190P6XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R190C6ATMA1 par Infineon et IPP60R190P6XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB60R190C6ATMA1 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $1,02 |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Niveau MSL | 1 | Not applicable (through-hole) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P6 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |