IPB60R190C6ATMA1 vs IPP60R190P6XKSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB60R190C6ATMA1 от Infineon и IPP60R190P6XKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPB60R190C6ATMA1 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,45 | $1,02 |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Through Hole |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Уровень MSL | 1 | Not applicable (through-hole) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P6 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |