IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R1ATMA1 par Infineon et IPC100N04S51R7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPC100N04S5L1R1ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPC100N04S5L1R1ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPC100N04S5L1R1ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 40 V | — |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic Level | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | 100% tested |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Built-in Body Diode | — | Yes |