IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPC100N04S5L1R1ATMA1 メーカー: Infineon および IPC100N04S51R7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R1ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R1ATMA1 ✓ 生産中
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IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V —
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100% tested
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS ステータス — Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode — Yes

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